array(1) {
[418484]=>
array(2) {
[2]=>
array(3) {
[0]=>
string(9) "半導體"
[1]=>
string(9) "硅晶圓"
[2]=>
string(6) "MOSFET"
}
[4]=>
array(1) {
[0]=>
string(19) "同花順7x24快訊"
}
}
}
同花順7x24快訊
安世半導體消息,公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下,可使電力更為持久。
請輸入驗證碼