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      長江存儲直接挑戰232層3D NAND 欲超車國際大廠

        據中國臺灣電子時報消息,3D NAND200層堆棧以上賽局加速展開,繼存儲器大廠美光(Micron)提出業界首家232層堆棧3DNAND Flash將于2022年底前率先量產,近日市場傳長江存儲將跳過原定192層技術,直接挑戰232層NAND,并于2022年底量產。存儲器相關業者指出,如此一來,長江存儲可望趕上其他NAND大廠如三星電子等。

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